




镀膜设备
pcvd工艺具有广泛的用途。
(1)超硬膜的应用(tin、tic、ticn、(tial)n、c-bn等)pcvd法宜于在外形复杂、面积大的工件上获得超硬膜,沉积速率可达4~10μm/h,硬度大于2000hv,绕镀性好,工件不需旋转就可得到均匀的镀层。大量应用于切削刀具、磨具和耐磨零件。
(2)半导体元件上尽缘膜的形成过往半导体元件上的尽缘膜大多用sio2,现在用sin4+h2用pcvd法来形成si3n4,si3n4的尽缘性、性、耐酸性、耐碱性,比sio2强,镀膜设备,从电性能及其掺杂效率来讲都是的,---是当前的高速元件gaas尽缘膜的形成,镀膜设备价格,高温处理是不可能的,只能在低温下用等离子法进行沉积。
对于需要更高的表面形态的应用(对于粗糙度,塑料镀膜设备,晶粒尺寸,化学计量和其他要求比沉积速率更重要的应用),溅射工艺似乎是一种替代方法。由于在冷却过程中随着温度或基材(聚合物)熔化温度的降低而产生的应力,沉积过程对某些应用提出了温度---。这导致溅射工艺在pvd沉积技术中变得重要,同时又不会忘记基于溅射工艺的新技术的出现,以满足不断增长的市场需求。
金属钯及其合金具有很强的氢气吸附能力和特殊的选择渗透能力, 是理想的氢气储存和净化材料 。目前, 通常使用整体钯合金或镀钯等方法制造氢净化设备。近年来 ,有研究者尝试采用化学气相沉积法制备钯的薄膜或薄层材料 , 他们选用分解温度很低的金属有机化合物作为沉积钯的源物质, 他们是:---[β-酮] pd(ⅱ)、pd(η3 -c 3 h 5 )(η 5-c 5 h 5 )和 pd(η3-c 3 h 5 )(cf 3 cochcocf 3 )等。采用化学气相沉积法可以制备高纯度的钯薄膜 。
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