物理气相沉积（pvd）是一项众所周知的技术，广泛应用于薄膜沉积，涉及许多方面，包括摩擦学性能---，光学增强，视觉/美学提升以及许多其他领域，涉及范围广泛。已经建立的应用程序。加工工具可能是该沉积技术的常见应用之一，有时与化学气相沉积（cvd）结合使用，以延长其使用寿命，减少摩擦并---热性能。然而，cvd工艺在较高的温度下进行，从而在涂层和基材中产生较高的应力，基本上仅在需要使用该工艺沉积所需的涂层时才使用。为了改进此技术，已进行了多项研究，汽车配件真空镀膜设备，以优化pvd技术，方法是增加等离子体电离，减少暗区（反应器中没有沉积物的区域），---靶材的使用，提高原子轰击效率，甚至提高沉积速率并优化气体选择。
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pcvd工艺具有广泛的用途。
（1）超硬膜的应用（tin、tic、ticn、（tial）n、c-bn等）pcvd法宜于在外形复杂、面积大的工件上获得超硬膜，沉积速率可达4～10μm/h，硬度大于2000hv，绕镀性好，工件不需旋转就可得到均匀的镀层。大量应用于切削刀具、磨具和耐磨零件。
（2）半导体元件上尽缘膜的形成过往半导体元件上的尽缘膜大多用sio2，现在用sin4+h2用pcvd法来形成si3n4，si3n4的尽缘性、性、耐酸性、耐碱性，比sio2强，从电性能及其掺杂效率来讲都是的，---是当前的高速元件gaas尽缘膜的形成，高温处理是不可能的，只能在低温下用等离子法进行沉积。
人们把等离子体、离子束引入到传统的物理气相沉积技术的蒸发和溅射中，参与其镀膜过程，真空镀膜设备，同时通入反应气体，也可以在固体表面进行化学反应，金属配件真空镀膜设备，生成新的合成产物固体相薄膜，称其为反应镀。
在溅射钛(ti)等离子体中通入反应气体n2后合成tin就是一例。
这就是说物理气相沉积也可以包含有化学反应。又如，在反应室内通入，硅胶真空镀膜设备，借助于w靶阴极电弧放电，在ar，w等离子体作用下使分解，并在固体表面实现碳键重组，生成掺w的类金刚石碳减摩膜，人们习惯上把这种沉积过程仍归入化学气相沉积，但这是在典型的物理气相沉积技术——金属阴极电弧离子镀中实现的。
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