直流等离子体化学气相沉积（dc-pcvd）
dc-pcvd是利用高压直流负偏压（-1～-5kv），使低压反应气体发生辉光放电产生等离子体，等离子体在电场作用下轰击工件，并在工件表面沉积成膜。
直流等离子体比较简单，工件处于阴极电位，纳米镀膜设备，受其外形、大小的影响，使电场分布不均匀，在阴极四周压降，电场强度，正由于有这一特点，所以化学反应也集中在阴极工件表面，金属配件纳米镀膜设备，加强了沉积效率，避免了反应物质在器壁上的消耗。缺点是不导电的基体或薄膜不能应用。由于阴极上电荷的积累会排斥进一步的沉积，并会造成积累放电，破坏正常的反应。
离化pvd技术通过将成膜材料高度电离化形成膜材料离子，从而增加膜材料离子的沉积动能，并使之在高化学活性状态下沉积薄膜的技术，汽车纳米镀膜设备，包括离子镀、离子束沉积和离子束辅助沉积三类。
离化pvd过程大多是蒸发/溅射（气相物质激发）与等离子体离化过程（赋能、）的交叉结合。
蒸发镀膜是依靠源材料的晶格振动能克服逸出功，从而形成沉积粒子的热发射，即：外加能量（电阻/电子束/激光/电弧/射频）赋予材料较高的晶格振动能，使其克服固有的逸出功逸出粒子。而溅射是依靠高能离子输入动能，借助源材料中粒子间的弹性碰撞，致使更高动能粒子逸出。离化pvd 是以其它手段激发沉积物质粒子，然后使之与高度电离的等离子体交互作用（类似 pecvd），促使沉积粒子离化，使之既可被电场加速而获得更高动能，同时在低温状态下具有高化学活性。
当考虑电子束蒸发技术时，该方法涉及纯粹的物理过程，其中目标充当包含待沉积材料的蒸发源，电子纳米镀膜设备，该材料用作阴极。请注意，系统会根据电子束功率蒸发任何材料。通过在高真空下轰击电子，在高蒸气压下加热材料，并释放出颗粒。然后，在原子尺寸释放的粒子和气体分子之间发生冲突，该粒子插入反应器中，旨在通过产生等离子体来加速粒子。该等离子体穿过沉积室，在反应器的中间位置---。连续压缩层被沉积，从而增加了沉积膜对基底的粘附力
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