




化学气相沉积tin
将经清洗、脱脂和氨气还原处理后的模具工件,置于充满h2(体积分数为99.99%)的反应器中,加热到900-1100℃,塑料镀膜设备,通入n2(体积分数为99.99%)的同时,并带入气态ticl4(分数不低于99.0%)到反应器中,则在工件表面上发生如下化学反应:
2ticl4(气)+n2(气)+4h2(气)***2tin(固)+8hcl(气)
固态tin沉积在模具表面上形成tin涂层,厚度可达3-10μm,副产品hcl气体则被吸收器排出。工艺参数的控制如下:
(1)氮氢比对tin的影响
一般情况下,氮氢体积比vn2/vh2<1/2时,随着n2的增加,tin沉积速率增大,涂层显微硬度增大;当vn2/vh2≈1/2时,汽车镀膜设备,沉积速率和硬度达到值;当vn2/vh2>;1/2时,沉积速率和硬度逐渐下降。当vn2/vh2≈1/2时,所形成的tin涂层均匀致密,晶粒细小,硬度,涂层成分接近于化学当量的tin,而且与基体的结合牢固。因此,vn2/vh2要控制在1/2左右。
原子沉积过程可以在真空,气态,等离子体或电解环境中进行。而且,沉积室中的真空环境会将沉积过程中的气态污染降低到非常低的水平。
过去的几十年展示了pvd技术的发展,旨在---涂层特性和沉积速率,而无需保留初始表面清洁以去除可能的污染物。该技术已经得到了相关的改进,镀膜设备,主要是在碳化物和纳米复合过渡金属氮化物衬底上。尽管这种方法的沉积速率有效性的提高一直是与这种技术有关的工业关注的重点,但研究仍集中在---涂层的特性上。
1、真空镀膜工艺在信息存储范畴中的运用薄膜资料作为信息记载于存储介质,有其得天独厚的优势:因为薄膜很薄能够疏忽涡流损耗;磁化回转---敏捷;与膜面平行的双稳态状况简单保持等。为了更精细地记载与存储信息,必定要选用镀膜技能。
2、真空镀膜工艺在传感器方面的运用在传感器中,多选用那些电气性质相关于物理量、化学量及其变化来说,---敏感的半导体资料。此外,真空镀膜设备厂,其中大多数运用的是半导体的外表、界面的性质,需求尽量增大其面积,且能工业化、低报价制造、因而选用薄膜的状况许多。
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