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射频等离子体增强化学气相沉积（rf-pcvd）

在低压容器的两极上加高频电压则产生射频放电形成等离子体，射频电源通常采用电容耦合或电感耦合方式，电子纳米镀膜设备，其中又可分为电极式和无电极式结构，电极式一般采用平板式或热管式结构，优点是可容纳较多工件，但这种装置中的分解率远低于1%，即等离子体的内能不高。电极式装置设在反应容器外时，主要为感应线圈，如图5，也叫无极环形放电，射频频率为13.56mhz。

若将反应气体导入蒸发空间，便可在工件表面沉积金属化合物涂层，这就是反应性离子镀。由于采用等离子活化，工件只需在较低温度甚至在室温下进行镀膜，完全---零件的尺寸精度和表面粗糙度，纳米镀膜设备，因此，可以安排在工件淬火、回火后即后一道工序进行。如沉积tin或tic时，玻璃纳米镀膜设备，基体温度可以在150-600℃范围内选择，温度高时涂层的硬度高，与基体的结合力也高。基体温度可根据基体材料及其回火温度选择，饰品纳米镀膜设备，如基体为高速钢，可选择560℃，这样，对于经淬火、回火并加工到尺寸的模具加工，无需---基体硬度降低及变形问题。另外，离子镀的沉积速度较其他气相沉积方法快，得到10mm厚的tic或tin涂层，一般只需要几十分钟。