




(1)化学气相沉积(cvd)反应温度一般在900~1200℃,橡胶纳米镀膜设备,中温cvd例如mocvd(金属有机化合物化学气相沉积),反应温度在500~800℃。若通过气相反应的能量,还可把反应温度降低。
(2)常压化学气相沉积(npcvd)或---压下化学气相沉积(apcvd)是在0.01—0.1mpa压力下进行,低压化学气相沉积(lpcvd)则在10-4 mpa下进行。cvd或辉光放电cvd,是低压cvd的一种形式,其优点是可以在较低的基材温度下获得所希望的膜层性能。
磁控溅射:在真空环境下,通过电压和磁场的共同作用,以被离化的惰性气体离子对靶材进行轰击,致使靶材以离子、原子或分子的形式被弹出并沉积在基件上形成薄膜。根据使用的电离电源的不同,导体和非导体材料均可作为靶材被溅射。
离子束dlc:碳氢气体在离子源中被离化成等离子体,在电磁场的共同作用下,离子源释放出碳离子。离子束能量通过调整加在等离子体上的电压来控制。碳氢离子束被引到基片上,沉积速度与离子电流密度成正比。星弧涂层的离子束源采用高电压,因而离子能量,使得薄膜与基片结合力---;离子电流,使得dlc膜的沉积速度更快。离子束技术的主要优点在于可沉积超薄及多层结构,工艺控制精度可达几个埃,并可将工艺过程中的颗料污染所带来的缺陷降至。
溅射镀膜
溅射镀膜,是不采用蒸发技术的物理气相沉积方法。施镀时,将工作室---真空,充入氢气作为工作气体,并保持其压力为0.13-1.33pa,以沉积物质作为靶(阴极)并加上数百至数千伏的负压,以工件为阳极,两侧灯丝带负压(-30-100v)。加热灯丝至1700℃左右时,灯丝发射出的电子使氢气发生辉光放电,产生出氢离子h+,h+被加速轰击靶材,台湾纳米镀膜设备,使靶材迸发出原子或分子溅射到工件表面上,形成沉积层。
溅射法可用于沉积各种导电材料,包括高熔点金属及化合物。如果用tic作靶材,纳米镀膜设备,便可以在工件上直接沉积tic涂层。当然,也可以用金属ti作靶,再导入反应气体,塑料纳米镀膜设备,进行反应性溅射,溅射涂层均匀但沉积速度慢,不适于沉积105mm以上厚度的涂层。溅射可使基体温度升高到500-600℃,因此,只适用于在此温度下具有二次硬化的钢制模具加工。
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