




直流等离子体化学气相沉积(dc-pcvd)
dc-pcvd是利用高压直流负偏压(-1~-5kv),使低压反应气体发生辉光放电产生等离子体,车灯镀膜设备,等离子体在电场作用下轰击工件,并在工件表面沉积成膜。
直流等离子体比较简单,工件处于阴极电位,受其外形、大小的影响,使电场分布不均匀,在阴极四周压降,真空镀膜设备批发,电场强度,正由于有这一特点,所以化学反应也集中在阴极工件表面,加强了沉积效率,避免了反应物质在器壁上的消耗。缺点是不导电的基体或薄膜不能应用。由于阴极上电荷的积累会排斥进一步的沉积,并会造成积累放电,破坏正常的反应。
总之,化学气相沉积就是,利用气态物质在固体表面上进行化学反应,生成固态沉积物的过程。其过程如下:
(1)反应气体向工件表面扩散并吸附。
(2)吸附于工件表面的各种物质发生表面化学反应。
(3)生成物质点---成晶核并长大。
(4)表面化学反应中产生的气体产物脱离工件表面返回气相。
(5)沉积层与基体的界面发生元素的相互扩散,而形成镀层。
cvd法是,将工件置于有氢气保护的炉内,加热到800℃以上高温,向炉内通入反应气体,镀膜设备,使之在炉内热解,化合成新的化合物沉积在工件表面。在模具的应用中,其覆膜厚度一般为6-10μm。
物理气相沉积(pvd)是一项众所周知的技术,广泛应用于薄膜沉积,涉及许多方面,包括摩擦学性能---,光学增强,视觉/美学提升以及许多其他领域,涉及范围广泛。已经建立的应用程序。加工工具可能是该沉积技术的常见应用之一,有时与化学气相沉积(cvd)结合使用,以延长其使用寿命,减少摩擦并---热性能。然而,cvd工艺在较高的温度下进行,从而在涂层和基材中产生较高的应力,基本上仅在需要使用该工艺沉积所需的涂层时才使用。为了改进此技术,镀膜设备厂家,已进行了多项研究,以优化pvd技术,方法是增加等离子体电离,减少暗区(反应器中没有沉积物的区域),---靶材的使用,提高原子轰击效率,甚至提高沉积速率并优化气体选择。
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