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溅射镀膜

溅射镀膜，是不采用蒸发技术的物理气相沉积方法。施镀时，将工作室---真空，充入氢气作为工作气体，并保持其压力为0.13-1.33pa，以沉积物质作为靶（阴极）并加上数百至数千伏的负压，以工件为阳极，两侧灯丝带负压（-30-100v）。加热灯丝至1700℃左右时，灯丝发射出的电子使氢气发生辉光放电，金属真空镀膜设备，产生出氢离子h+，h+被加速轰击靶材，金属配件真空镀膜设备，使靶材迸发出原子或分子溅射到工件表面上，形成沉积层。

溅射法可用于沉积各种导电材料，包括高熔点金属及化合物。如果用tic作靶材，汽车真空镀膜设备，便可以在工件上直接沉积tic涂层。当然，也可以用金属ti作靶，再导入反应气体，真空镀膜设备，进行反应性溅射，溅射涂层均匀但沉积速度慢，不适于沉积105mm以上厚度的涂层。溅射可使基体温度升高到500-600℃，因此，只适用于在此温度下具有二次硬化的钢制模具加工。

离化pvd技术通过将成膜材料高度电离化形成膜材料离子，从而增加膜材料离子的沉积动能，并使之在高化学活性状态下沉积薄膜的技术，包括离子镀、离子束沉积和离子束辅助沉积三类。

离化pvd过程大多是蒸发/溅射（气相物质激发）与等离子体离化过程（赋能、）的交叉结合。

蒸发镀膜是依靠源材料的晶格振动能克服逸出功，从而形成沉积粒子的热发射，即：外加能量（电阻/电子束/激光/电弧/射频）赋予材料较高的晶格振动能，使其克服固有的逸出功逸出粒子。而溅射是依靠高能离子输入动能，借助源材料中粒子间的弹性碰撞，致使更高动能粒子逸出。离化pvd 是以其它手段激发沉积物质粒子，然后使之与高度电离的等离子体交互作用（类似 pecvd），促使沉积粒子离化，使之既可被电场加速而获得更高动能，同时在低温状态下具有高化学活性。