




镀膜设备
pcvd工艺具有广泛的用途。
(1)超硬膜的应用(tin、tic、ticn、(tial)n、c-bn等)pcvd法宜于在外形复杂、面积大的工件上获得超硬膜,沉积速率可达4~10μm/h,硬度大于2000hv,绕镀性好,镀膜设备,工件不需旋转就可得到均匀的镀层。大量应用于切削刀具、磨具和耐磨零件。
(2)半导体元件上尽缘膜的形成过往半导体元件上的尽缘膜大多用sio2,现在用sin4+h2用pcvd法来形成si3n4,si3n4的尽缘性、性、耐酸性、耐碱性,比sio2强,从电性能及其掺杂效率来讲都是的,真空镀膜设备,---是当前的高速元件gaas尽缘膜的形成,高温处理是不可能的,只能在低温下用等离子法进行沉积。
物理气相沉积(pvd)工艺已经有100多年的历史了,等离子辅助pvd大约在80年前就申请了---。术语“物理气相沉积”仅在60年代出现。当时,需要通过发展众所周知的技术来发展真空镀膜工艺,例如溅射,真空,等离子体技术,磁场,真空光学镀膜设备,气体化学,真空镀膜设备多少钱,热蒸发,弓形和电源控制,如powell的书中详细描述的。在过去的30年中,等离子辅助pvd(papvd)被分为几种不同的电源技术,例如直流(dc)二极管,三极管,射频(rf),脉冲等离子体,离子束辅助涂层等。,该过程在基本理解上存在一些困难,因此引入了---的更改以提供好处,例如从涂层到基材的---附着力,结构控制以及低温下的材料沉积。
cvd法具有如下特点:可在---或低于---压下进行沉积金属、合金、陶瓷和化合物涂层,能在形状复杂的基体上或颗粒材料上沉积涂层。涂层的化学成分和结构较易准确控制,也可制备具有成分梯度的涂层。
涂层与基体的结合力高,设备简单操作方便,但它的处理温度一般为900-1200℃,工件被加热到如此高的温度会产生以下问题:
(1)工件易变形,心部组织恶化,性能下降。
(2)有脱碳现象,晶粒长大,残留奥氏体增多。
(3)形成ε相和复合碳化物。
(4)处理后的母材必须进行淬火和回火。
(5)不适用于低熔点的金属材料。
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